每天在移动处理器和台式机处理器上取得更大进步的公司将继续以其开发的技术挑战物理定律。台积电提出了2nm MBCFET技术。
多亏了MBCFET(多桥沟道FET)，借助新开发的技术，设法将晶体管的生产降低到3nm的公司取得了更好的结果。GizChina宣布，由于TMSC进行的研究，能源效率提高了2nm。
该系统是首次使用非FinFET节点创建的，预计将在2023年下半年投入量产。与5nm和3nm技术不同，TMSC将使用类似MBCFET的设计，并将大大增加得益于先进的技术，晶体管的性能得以提高。
MBCFET晶体管采用GAAFET(全能门)设计方法制造，以减少功率损耗并提高效率。三星和英特尔不久前宣布，他们将使用MBCFET技术生产其新处理器。
分析人士认为，用MBCFET生产的处理器将产生比电池性能更好的结果。
