三星加速布局:HBM3E二季度起量 HBM4下半年冲刺量产

2025-05-01 05:40:05    来源:新经网    作者:冯思韵
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三星

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三星HBM3E 12层产品

在代工业务方面,三星坦言受手机、PC市场持续疲软影响,一季度产能利用率下降导致亏损扩大。但通过聚焦2纳米、4纳米高性能计算(HPC)及AI芯片订单,先进制程(5纳米及以下)订单量实现环比增长。技术部门透露,2纳米第一代工艺已完成可靠性评估,计划二季度启动量产,同时加速推进2纳米第二代及3纳米工艺优化。

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【CNMO科技消息】据CNMO了解,三星电子近日在业绩说明会上透露,其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应,预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响,HBM销售额触及低点,但公司预计随着新产品放量,季度业绩将呈现阶梯式复苏。

三星电子存储业务部副社长表示,HBM3E改进版已向主要客户完成样品交付,下半年将重点推进第六代产品HBM4的量产工作,预计2025年实现规模化销售。值得注意的是,针对市场高度关注的定制化HBM,三星正基于HBM4及第七代HBM4E平台,与多家客户展开合作洽谈,部分定制项目或将于2026年与标准版HBM4同步上市。

财报显示,三星一季度存储业务营收19.1万亿韩元,环比下降17%,但同比增长9%。尽管HBM销售下滑拖累业绩,但服务器用DRAM需求增长及NAND采购回暖成为亮点。展望二季度,公司预计DRAM产品价格将迎来复苏,移动端、PC领域位元增长率有望突破10%,NAND价格跌幅也将趋缓。


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