三星正推进第七代10纳米级1d DRAM研发 明年筹备量产

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三星平泽工厂

三星

　　此前市场曾有猜测称三星可能于今年启动1d DRAM的量产，但考虑到相关核心生产设备仍处于开发阶段，该目标被认为难以实现。业内分析认为，考虑到设备导入后的调试与量产准备周期，三星最早有望在明年年底实现1d DRAM的初期量产。

　　三星的1d DRAM技术在未来的AI存储器业务中具有重要地位。根据规划，该技术预计将被采用为2029年商用的第九代高带宽内存，即HBM5E的核心芯片载体。

　　半导体行业相关人士表示，三星目前正与主要合作伙伴积极进行研发，确保1d DRAM的良率与性能稳定。虽然具体时间表可能随研发进度调整，但目前的目标是在明年第二或第三季度导入量产设备。另一位知情人士则指出，1d DRAM是三星内部开发进度较快的工艺项目，预计相关计划将在今年年底进一步明朗。

　　1d DRAM的电路宽度约为10至11纳米。相比之下，目前已商用的第六代1c DRAM的电路宽度约为11至12纳米。通过进一步缩小电路宽度，新一代DRAM将在性能和能效方面获得提升。

　　【CNMO科技消息】6月17日，CNMO科技从韩媒获悉，三星正在推进10纳米级第七代，即1d DRAM的量产准备工作。目前，该公司正与多家供应商合作开发相关生产设备，计划最早于明年第二季度引入这些设备。

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