三星全球首次实现900层V-NAND技术 向1000层迈进

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　　【CNMO科技消息】5月25日，CNMO科技从韩媒获悉，三星宣布全球首次成功实现900层V-NAND闪存原型技术，距离1000层NAND时代更进一步。据半导体行业消息，三星近期利用两块450层晶圆进行粘合的Cell Multi Bonding技术，实现了900层V-NAND集成系统。

　　NAND闪存作为AI服务器、智能手机和数据中心SSD的核心部件，层数越高，在相同芯片尺寸内容纳更多数据，同时提升能效。当前量产市场中，SK海力士以321层4D NAND领先，但三星今年准备量产400层以上的第十代V-NAND，研究阶段直接达到900层，在下一代NAND市场占据有利位置。

　　三星表示已验证正常单元动作特性，强调该技术并非理论层面，而是实际可驱动水平。为克服层数增加导致的晶圆翘曲和错位问题，三星采用先进上卡盘设计减少翘曲，并利用独特的覆盖层校正技术解决粘合错位，同时引入新位线和字线结构，降低了功耗和芯片尺寸。

三星V9闪存

韩国和中国主要企业NAND堆叠技术比较

　　三星自2013年全球首次商用3D V-NAND以来，持续改进工艺。中国方面，长江存储正以300层量产为目标追赶韩国企业，若年内实现量产，可能加剧价格竞争。行业分析认为，三星的900层技术不仅是层数的三倍提升，更改变了堆叠工艺范式，能向客户传递技术领导地位。

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