很多朋友不知道【三星电子旗下工厂退出Exynos封装 全面转向HBM设备】，今天小绿就为大家解答一下。
【CNMO科技消息】9月15日，据韩国《时事杂志e》独家报道，三星电子正在推进一项重大封装业务调整：其在忠清南道天安事业场负责的移动应用处理器（AP）Exynos封装生产将逐步终止，相关设备将全面转换为高带宽存储器（HBM）封装产线。值得一提的是，搭载于Galaxy S26系列部分机型和Galaxy Z Flip 8等产品的Exynos 2600将继续在天安生产，但今后推出的新一代产品将不再在天安另建专用封装产线。
Exynos 2600
在更广泛的战略层面，三星电子正推进封装双轨化战略，计划年内完成温阳新工厂建设，用于HBM的先进封装生产，以缓解天安工厂的产能压力。同时，三星电子正考虑将其位于天安和温阳工厂的部分通用存储器后端加工产能转移至越南，旨在将韩国国内后道工序产能重新聚焦于HBM等高附加值产品。据韩媒此前报道，三星电子已宣布将投入56万亿韩元，将天安和温阳打造为下一代HBM的生产基地，预计今年HBM销售额将较去年增长三倍以上。版权所有，未经许可不得转载
HBM4/4E
这一调整与三星电子近期封装战略的变化密切相关。三星电子正在评估从Exynos 2700起不再采用此前两代产品使用的扇出型晶圆级封装（FO-WLP）技术。FO-WLP虽能通过WLP应用改善散热特性，但工艺复杂性和良率负担导致封装制造成本上升，三星电子从盈利能力角度判断需要新的封装结构。据业界相关人士透露：“从明年起天安将撤出Exynos封装的计划已经明确。但这些设备可以转换为HBM用途，因此并非拆除设备，而是全面转换为HBM封装的方向。已设置好的现有产品将继续在天安生产，今后新产品则转移到温阳进行。” CNMO科技注意到，三星电子下一代产品“Exynos 2700”的封装工序将转移至温阳事业场进行。据了解，温阳事业场虽设有部分晶圆级封装（WLP）设备，但并不完整，因此将天安事业场转为HBM专用产线成为自然选择。 三星电子自2024年起已在忠清南道天安第三一般产业园区的三星显示闲置建筑中租赁空间，推进HBM先进封装产能的扩张工作。天安事业场的C1、C2、C3产线已处于满负荷HBM堆叠状态。三星电子还计划到2026年底前将热压键合（TCB）月产能提升至23.1万颗，混合铜键合（HCB）月产能提升至1.95万颗，并规划到2029年完成HBM堆叠工艺从TCB向HCB的迭代。
三星电子员工
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