三星启动1纳米工艺导入下一代光刻技术 2030年量产

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　　量产时间表：2030年目标锁定

　　【CNMO科技消息】三星电子已正式敲定其下一代光刻技术的导入时间表。8月11日，据韩媒报道，三星电子Park Chang-min Master在“2026下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从1纳米（A10）制程开始，正式将高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术应用于量产，预计2030年左右实现商用化，目前正集中力量推进技术开发。

三星电子半导体研究所Foundry工艺开发团队Master朴昌民

　　Park Chang-min Master预计：“到1.4纳米及1纳米制程为止，0.33 NA EUV多次图案化仍将是主流技术路线。在此之后的下一代制程，High-NA图案化将成为主流”。

　　三星目前已完成2纳米制程的量产，计划于2029年实现1.4纳米制程量产，并于2030年推出1.4纳米的改进版本（SF1.4+）及1纳米制程。这一路线图与High-NA EUV的量产导入时间高度吻合。

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ASML的EUV光刻设备概念图

　　技术挑战：高成本与材料配套难题

　　High-NA EUV面临多重技术障碍。该设备造价极为昂贵，同时对光罩、防护薄膜等相关材料技术也提出了更高的要求。业界预计，未来先进制程中将混合使用现有EUV多次图案化与High-NA EUV单次图案化两种方案。

　　High-NA EUV通过将透镜数值孔径从0.33提升至0.55，可提高分辨率，实现更精细的电路图案。应用该技术后，原本需要多次图案化的超微细工艺可通过单次图案化完成，有利于降低制造成本、提升生产效率，同时使电路设计更加灵活。

　　三星自8纳米以下先进制程起便已将EUV技术应用于量产。EUV的光波长为13.5纳米，仅为现有氟化氩（ArF）光源的约十三分之一，可在更少次数的图案化步骤中实现超微细电路。

　　三星原计划在2纳米或1.4纳米节点引入High-NA EUV，但Park Chang-min Master表示：“2纳米、1.4纳米等节点虽然有意引入，但目前仍需要技术层面的进一步完善”，因此将导入节点调整至1纳米（A10）及以下制程。

　　技术路线：1纳米为High-NA EUV起点

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