三星扩大下一代z NAND产品线 三款定制AI内存在研

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三星z NAND-O模型

　　SK海力士同样在开发定制化AI NAND产品。该司去年下半年搭起AIN（AI-NAND）产品家族，包含AIN P、AIN D、AIN B三款，分别对应性能、集成度与带宽。AIN P正在开发最高1亿IOPS级产品，AIN D聚焦SSD存储容量，目标最高PB级，AIN B与HBF实质是同一概念，重点在于扩展带宽。

　　【CNMO科技消息】10月12日，据韩媒报道，三星电子正在扩大下一代NAND闪存产品z NAND的应用范围。除已公开的z NAND-O外，内部还在初期开发z NAND-T与z NAND-I，三款产品分别对应不同的AI应用场景。

三星

　　韩媒指出，三星把下一代NAND产品细分成三条线，最主要的原因在AI。全球大型科技公司正在开发各种提升AI数据处理效率的架构，针对不同需求优化的NAND需求随之增加。三星尚未正式公布z NAND-T与z NAND-I，两款产品目前只在内部开发。

　　据报道，z NAND-T主打吞吐量，面向高容量、高性能的AI数据中心，特点是将决定数据吞吐量的带宽做到最大，同样采用垂直堆叠加TSV的方式制造，业内称之为高带宽闪存（HBF）。z NAND-I则把IOPS也就是每秒可完成的输入输出次数做到最大。带宽大意味着一次能处理更多数据，IOPS高意味着每秒完成的读写任务更多。KV缓存这类低容量临时数据需要频繁处理，AI推理场景因此更看重高IOPS的NAND。

　　此前，三星已公开过z NAND-O。当地时间8月4日，三星在美国加州圣克拉拉举行的FMS 2026大会上首次展出z NAND-O概念模型，这款产品面向端侧AI设计。与依靠引线键合把数据传至芯片外围的传统方式不同，z NAND-O用硅通孔（TSV）把NAND堆叠成4层或8层，数据传输路径缩短，速度与能效随之提升。三星在ODX 2026上介绍，z NAND-O的比特密度可达DRAM的10倍，读取带宽与读取能效可达传统NAND闪存的7倍，核心芯片层采用SLC，可与NPU集成封装，通过UCIe标准接口互连。

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