SK海力士完成中国无锡内存芯片工厂升级 普及1a工艺

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　　【CNMO科技消息】据韩媒报道，SK海力士宣布已完成其中国无锡工厂DRAM生产工艺从1z向1a世代的全面转换。此次升级历时约两年，自2024年1月公司首次披露计划以来稳步推进，现已实现月产能约18万至19万片12英寸晶圆中近90%采用1a工艺，显著提升产品性能与能效表现。

　　SK海力士公司高层此前强调，无锡工厂不仅是SK海力士的重要生产基地，也在全球存储芯片供应体系中扮演关键角色。自2006年投产以来，SK海力士在该基地累计投资已达数万亿韩元。

　　DRAM制程按微缩程度划分世代，1z属于10纳米级第三代技术，而1a为第四代，具备更高集成度与更低功耗。作为SK海力士全球DRAM生产体系的关键一环，无锡工厂承担公司总DRAM产量的30%至40%，其技术升级对保障供应链稳定和满足全球客户需求具有战略意义。

　　值得注意的是，1a工艺通常需依赖极紫外光刻（EUV）设备，但受相关出口管制影响，EUV设备无法直接部署于中国境内。对此，SK海力士采取创新分工模式：将涉及EUV的关键光刻步骤安排在韩国本土完成，其余制造流程则在无锡工厂进行整合。尽管该方案增加了工艺复杂性与物流成本，但有效兼顾了技术合规性与生产连续性。

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