美光HBM4产能提升提速 新一代HBM4E明年量产

很多朋友不知道【美光HBM4产能提升提速 新一代HBM4E明年量产】，今天小绿就为大家解答一下。

　　竞争对手方面，三星电子和SK海力士也在以1c工艺开发HBM4E。三星计划今年第二季度内首次出货样品，基底芯片由三星自家代工部门以4纳米工艺制造。SK海力士目标今年下半年向客户提供HBM4E样品，明年量产，基底芯片继续由台积电以3纳米工艺生产。

　　【CNMO科技消息】近日，美光科技表示，第六代高带宽内存（HBM4）产能优化正在稳步推进，下一代HBM4E标准产品也将于明年开始量产。

　　巴蒂亚指出，HBM4产能提升加速有三方面原因。首先是量产前代HBM3和HBM3E 12层产品积累的经验与学习效应。其次，HBM4的核心芯片（DRAM芯片）采用10纳米级第五代1β工艺制造，该工艺已是美光主力工艺，性能和良率均得到验证，运行稳定。第三，美光采用了自身优化的基底芯片，将1β DRAM与内部制造的基底芯片结合，实现了完整度与性能的最大化。

　　巴蒂亚表示，HBM4E开发进展顺利，预计明年启动量产。最先量产的产品将是符合JEDEC标准的标准品，同时公司也在准备客户定制产品。定制产品成本高于标准品，但凭借性能提升和功能增加，预计客户需求充足。

　　不过从下一代HBM4E开始，美光策略将调整。HBM4E的核心芯片计划采用10纳米级第六代1γ工艺生产，该工艺与三星电子、SK海力士的10纳米级第六代1c工艺属于同一代际，也是美光首次导入ASML极紫外光刻设备的工艺。基底芯片方面，美光将不再自行生产，而是交由台积电代工。

　　美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚20日在摩根大通投资会议上透露，美光的HBM4产能优化速度相比去年HBM3 12层产品实际快了两倍，良率改善更为迅速。该产品将用于英伟达人工智能计算平台Vera Rubin。

　　美光预计，到今年中期，基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存产品的出货量将占总量一半以上。其中1γ DRAM将成为美光按晶圆产量计算的最大单一DRAM工艺。

版权所有，未经许可不得转载

以上问题已经回答了。如果你想了解更多，请关新经网网站 (https://www.xinhuatone.com/)