三星电子确认正在开发4F DRAM存储技术紧随长鑫之后

2026-10-14 21:00:33 来源：新经网作者：冯思韵

很多朋友不知道【三星电子确认正在开发4F DRAM存储技术紧随长鑫之后】，今天小绿就为大家解答一下。

　　【CNMO科技消息】中国最大半导体企业长鑫存储（CXMT）预告将推出次世代服务器用DRAM之后，三星电子方面也表态，公司正在开发同一项技术。

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　　4F²是长鑫存储此前宣布将应用于服务器用DRAM的次世代技术，其关键在于让同样的空间能装入更多数据。由于这被视为存储半导体在容量密度上的一次重要突破，长鑫存储的发布也引发了关注。

　　这种关注在资本市场上迅速有了反应。在长鑫存储公布消息后，外界出现了一些担忧，认为中国的存储半导体技术可能正在追赶韩国。受此影响，前一日三星电子与SK海力士的股价分别下跌7.4%和10.1%。在这种背景下，三星电子CTO在展会上的回应，也成为外界观察两家公司技术进度的一个信号。

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　　10月14日，在首尔江南区COEX举行的"第28届半导体展（SEDEX 2026）"现场，三星电子最高技术负责人（CTO）、社长宋在赫被记者问及"三星电子是否也在开发4F²技术"，他回答"是的"。当被追问开发进展如何时，他只说"正在努力做"，并未展开说明。

　　值得注意的是，三星电子在本次展会上以"AI系统设计"为主题，设置了六个展示空间，分别涵盖次世代技术、云端AI、边缘AI、Physical AI、半导体集群以及共生合作。这一主题设置也体现出公司当下把技术展示的重心放在与AI相关的系统级能力上。

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