三星电子P5工厂将加快扩建 以扩大HBM的先进DRAM产能

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三星电子平泽区域鸟瞰图

　　三星电子内存战略营销室副社长金在俊在近期财报电话会议上表示，公司HBM销售额预计同比增长超过3倍，1c纳米等最先进工艺确保了产品竞争力。他指出，HBM4的性能规格提升由三星主导，客户采用其产品后，卓越性能已转化为实际溢价。

　　半导体行业相关人士表示，平泽P4第四阶段和第二阶段的洁净室设备搬入已基本进入收尾阶段，P5工厂预计下半年正式启动施工。

　　据了解，系统密封工程是为构建半导体制造所需的洁净室，在天花板结构上安装过滤器、照明、面板等设备的工序。其洁净室通过控制温度、湿度、压力等环境参数，将洁净度维持在极高水准，是防止制造缺陷的必要空间，也是工厂建设中最早启动的环节。

　　P5工厂规划建设6个洁净室，共3层结构。其空间规模约为拥有4个洁净室、2层结构的P4工厂的1.5倍。业界预计，P5与计划2028年后动工的P6工厂合计产能，将达到现有P1至P4四座工厂的总和水平。P5预计于2028年正式投产，可能设计为可同时容纳DRAM、NAND和代工生产线的混合多厂形式。

　　【CNMO科技消息】5月8日，CNMO科技从外媒获悉，三星电子已在上月完成平泽P5工厂第一阶段系统密封工程的设备数量审核，预计下半年将正式进入主体施工阶段。P5工厂将按照多个阶段顺序建设，此次进展较此前预期提前约半年。

　　三星电子计划在下一代HBM4E中也采用1c纳米核心芯片。HBM4E目标实现每引脚16Gbps速度和4.0TB/s带宽，预计于第二季度向主要客户提供首批样品。为巩固HBM市场主导地位，三星电子正加速1c纳米产能扩张。同样作为1c纳米生产线的P4第四阶段和第二阶段的洁净室建设已接近尾声，预计下半年起主要前工序设备将陆续搬入。

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　　三星电子计划将P5第一阶段建设为1c纳米尖端DRAM专用生产线。1c纳米工艺的电路线宽约为11至12纳米，相比上一代1b纳米工艺，在能效和集成度方面均有提升。三星电子将1c纳米技术率先应用于第六代HBM4的核心芯片，以实现差异化竞争力。据三星介绍，基于1c纳米工艺的HBM4实现了11.7Gbps的传输速度，较国际半导体标准组织JEDEC规定的8Gbps标准提升约46%，最高可达13Gbps，满足英伟达等主要客户提出的11Gbps以上性能要求。

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